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1000A(100nm)氧化柵極固態(tài)劑量計(jì)

 
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最后更新: 1970-01-01 08:00
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公司基本資料信息
詳細(xì)說明
1000A(100nm)氧化柵極固態(tài)劑量計(jì)

技術(shù)要求
典型數(shù)值在27°C

氧化層厚度1000A

輻射Vth靈敏度
輻射場 = 0.125 MV/cm : 靈敏度 = 0.09mV/rad 
輻射場= 0 MV/cm : 靈敏度= 0.014mV/rad 
(靈敏度在 30 krad(H2O),在以下讀寫器的配置中使用一個恒量10µA) 

溫度補(bǔ)償
TVTC 2.5mV/°C
(該數(shù)據(jù)出自溫度27°C-100°C線性模式中的外推Vtp數(shù)值) 
線性模式中Z.T.C. 數(shù)值 ~ 3µA
(Vs=Vb=0, Vds=-0.1) 
飽和模式中Z.T.C.數(shù)值 ~ 30µA
(使用以下讀寫器電路配置) 
預(yù)輻射劑量計(jì)的特點(diǎn)
閾值電壓(外推)-2.15 +/- 0.1V 
Vth漂移時間(秒)2.2mV/十年
(該數(shù)據(jù)出自讀寫器配置強(qiáng)迫40µA.) 
氧化層擊穿電壓 ~ 75V 
溝道漏電流Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 10 pA 
亞閾值斜率100 +/- 20 mV/十年 
溝道電阻Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 0.3 Mohms 
北京華恒鑫達(dá)公司還提供深水高純鍺譜儀、蓄水池全自動水樣核素活度監(jiān)測系統(tǒng)、同軸高純鍺探測器GCD系列(液氮致冷)、平面型高純鍺探測器GPD系列(液氮致冷)、便攜式高純鍺γ射線譜儀、手持式高純鍺探測器、自帶鉛室高純鍺譜儀、液體和氣體流量核素分析的屏蔽高純鍺譜儀、移動式高純鍺譜儀(現(xiàn)場使用)、X γ射線高純鍺譜儀(電致冷)、流動式高純鍺譜儀、CdZn TeCdTe探測器和相關(guān)電子附件等相關(guān)產(chǎn)品。

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